تطورات إنتاج تقنية 2 نانومتر لدى TSMC
أعلنت شركة TSMC بدء الإنتاج الكمي لشريحة 2 نانومتر منذ الربع الرابع من عام 2025، مع تركيز الإنتاج حاليًا في مصنع 22 بمدينة كاوشيونغ، ويعتمد ذلك على الجيل الأول من تقنية الترانزستور النانوشيتية التي سجلت تقدماً في الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة.
وأوضحت الشركة أن تقنية 2 نانومتر تعد الأكثر تقدماً في صناعة أشباه الموصلات من حيث كثافة الترانزستورات وكفاءة الطاقة، وتُصمم لتلبية الطلب المتزايد على الحوسبة الموفرة للطاقة، خصوصًا في تطبيقات الذكاء الاصطناعي والأجهزة المحمولة.
وأشارت إلى أن الشريحة توفر زيادة في السرعة تتراوح بين 10 و15 بالمئة عند نفس مستوى استهلاك الطاقة، أو خفض استهلاك الطاقة بنسبة 25 إلى 30 بالمئة عند نفس السرعة، مع زيادة كثافة الترانزستورات بأكثر من 15 بالمئة مقارنة بشريحة 3 نانومتر السابقة.
وأكّدت الشركة أنها تعمل حاليًا على تطوير نسخة محسّنة من تقنية 2 نانومتر تُعرف باسم N2P، ومن المتوقع أن تدخل الإنتاج الكمي خلال النصف الثاني من عام 2026.
