أعلنت شركة TSMC عن بدء الإنتاج الكمي لشريحة 2 نانومتر في الربع الرابع من عام 2025، وفق تحديث رسمي منشور على موقعها الإلكتروني ونقله Focus Taiwan.
يتركز الإنتاج حاليًا في مصنع 22 في كاوشيونغ، مع الاعتماد على الجيل الأول من تقنية الترانزستور النانوشيتية التي أسهمت في تعزيز الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة.
وتُعد تقنية 2 نانومتر الأكثر تقدمًا في صناعة أشباه الموصلات من حيث كثافة الترانزستورات وكفاءة الطاقة، وتُصمَّم لتلبية الطلب المتزايد على الحوسبة الموفرة للطاقة، خاصة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي والأجهزة المحمولة.
وتوضح الشركة أن الشريحة توفر زيادة في السرعة تتراوح بين 10 و15 بالمئة عند نفس مستوى استهلاك الطاقة، أو خفض استهلاك الطاقة بنسبة 25 إلى 30 بالمئة عند نفس السرعة، مع زيادة كثافة الترانزستورات بأكثر من 15 بالمئة مقارنة بشريحة 3 نانومتر السابقة.
وأكدت TSMC أنها تعمل حاليًا على تطوير نسخة محسّنة من تقنية 2 نانومتر باسم N2P، والمتوقّع أن تدخل الإنتاج الكمي خلال النصف الثاني من عام 2026.
